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低壓MOS管FDN336P

低壓MOS管FDN336P

P溝道MOS管FDN336P具有-20V漏源電壓(Vdss)和-1.3A的連續(xù)漏極電流(Id)。導(dǎo)通電阻為105mΩ,閾值電壓為-0.7V,適用于低功耗應(yīng)用。其小型SOT-23封裝設(shè)計緊湊,便于高密度電路布局。

FDN336P 是一款由薩科微(Slkor)生產(chǎn)的 P溝道 MOS場效應(yīng)管,專為負載開關(guān)和功率管理應(yīng)用而設(shè)計。其緊湊的 SOT-23 封裝和低閾值電壓使其適用于各種小型電子設(shè)備。

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產(chǎn)品名稱:MOS管 FDN336P


生產(chǎn)商:薩科微 Slkor


產(chǎn)品類型:P溝道


產(chǎn)品概述:

FDN336P 是一款由薩科微(Slkor)生產(chǎn)的 P溝道 MOS場效應(yīng)管,專為負載開關(guān)和功率管理應(yīng)用而設(shè)計。其緊湊的 SOT-23 封裝和低閾值電壓使其適用于各種小型電子設(shè)備。


電性能參數(shù):

漏源電壓(Vdss): -20V

連續(xù)漏極電流(Id): -1.3A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 105mΩ @ -4.5V, -1.3A

閾值電壓(Vgs(th)@Id): -0.7V @ -250uA

封裝類型: SOT-23

產(chǎn)品特點:

負載開關(guān)應(yīng)用: 適用于負載開關(guān)和功率管理電路。

小型封裝: SOT-23 封裝適用于有限空間和輕量化設(shè)計。

低閾值電壓: -0.7V 的閾值電壓有助于降低驅(qū)動電路的功耗。

應(yīng)用領(lǐng)域:

移動電子設(shè)備: 用于手機、平板電腦等便攜式設(shè)備。

電源管理: 在小型電源單元中發(fā)揮作用。

負載開關(guān): 適用于需要高效能耗的負載開關(guān)電路。

注意: 以上信息僅供參考,請查閱詳細的產(chǎn)品規(guī)格表以獲取準確和最新的數(shù)據(jù)。如需更多信息或特定要求,請隨時聯(lián)系我們。



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